NTTFSSCH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSCH1D3N04XL
NTTFSSCH1D3N04XL

制造商：

说明：
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 156

库存：
156
可立即发货
在途量:
10,000
预期 2026/6/5
生产周期：
24
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.2553 ¥21.26
¥13.7295 ¥137.30
¥9.8423 ¥984.23
¥8.1925 ¥4,096.25
¥7.5823 ¥7,582.30
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥6.441 ¥32,205.00
25,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 123 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: NTTFSSCH1D3N04XL
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。这款40V、207A、单N沟道功率MOSFET具有更低的导通电阻、更高的功率密度以及出色的散热性能。该屏蔽栅极沟槽设计具有超低栅极电荷和1.3mΩ RDS(on) 。紧凑型3.3mmx3.3mm下源双冷第二代封装无铅、无卤、无BFR，符合RoHS指令。安森美半导体NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET设计用于为数据中心和云应用提供高效解决方案。

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