耐重复雪崩的ASFET

Nexperia耐重复雪崩的ASFET具有40VDS至60VDS最大漏极-源极电压、16ID至40ID漏极电流范围以及7.9QGD栅极-漏极电荷。这些ASFET完全符合汽车级AEC-Q101标准,具有高稳健性和可靠性,采用LFPAK铜夹封装技术。Nexperia耐重复雪崩的ASFET非常适合用于12V、24V和48V汽车系统、重复雪崩拓扑和发动机控制应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D 1,375库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 40A 1,305库存量
3,000预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 16A 1,107库存量
1,500预期 2027/2/22
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 18.2A
1,429预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 40 V 18.2 A 29 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 22A
2,790预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 35 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel