耐重复雪崩的ASFET

Nexperia耐重复雪崩的ASFET具有40VDS至60VDS最大漏极-源极电压、16ID至40ID漏极电流范围以及7.9QGD栅极-漏极电荷。这些ASFET完全符合汽车级AEC-Q101标准，具有高稳健性和可靠性，采用LFPAK铜夹封装技术。Nexperia耐重复雪崩的ASFET非常适合用于12V、24V和48V汽车系统、重复雪崩拓扑和发动机控制应用。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Nexperia MOSFET BUK9K61-100L/SOT1205 /LFPAK56D
数据表
1,172库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 40A
数据表
73库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 16A
数据表
1,240库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel