NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET采用高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。此MOSFET具有低漏极-源极RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVTFS6H860NL MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美 (onsemi) MOSFET采用3.3mm x 3.3mm封装。典型应用包括反向电池保护、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）以及开关电源。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL
数据表
15,413库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL
数据表
2,893库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel