IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET

International Rectifier IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进工艺，实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优点再加上快速的开关速度、坚固的器件设计及 HEXFET 功率 MOSFET 著名的 175°C 工作结温，为设计人员提供了极为高效和可靠的器件，适用于广泛的应用。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
数据表
13,679库存量
9,100预期 2026/4/23
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
数据表
3,898库存量
19,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
数据表
1,118库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
数据表
2,000预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube