MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器

单片电源系统(MPS) MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器设计用于驱动增强模式氮化镓(GaN) FET或N沟道MOSFET。单片电源系统 (MPS) MP1918具有独立的高侧(HS)和低侧(LS) PWM输入，采用自举技术实现HS驱动器电压。该器件能够在高达100V的环境中稳定工作。其采用了先进的充电技术，能够有效防止高侧驱动器电压超过VCC，从而保护栅极免于遭受超出GaN场效应晶体管最大栅源电压的损害。

结果: 2
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电源电压-最大
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下降时间
最小工作温度
最大工作温度
封装
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver
数据表
4,085库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-14 2 Driver 1 Output 5 A 3.7 V 5.5 V 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver
数据表

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-14 2 Driver 1 Output 5 A 3.7 V 5.5 V 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C Reel