EasyDUAL™ 1B IGBT模块

英飞凌采用CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B IGBT模块具有非常低的杂散电感和出色的效率，因此频率更高、功率密度更高、冷却要求更低。这些1200V、8mΩ的半桥模块集成了NTC温度传感器和PressFIT触点技术。xHP_B11型号提供热界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推荐栅极驱动电压范围、+23V或-10V的最大栅极-源极电压以及17mΩ或33mΩ的漏极-源极导通电阻选项。集成式安装夹确保牢固的安装。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 类型
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Infineon Technologies 分立半导体模块 EASY
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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21库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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29库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
3库存量
48在途量
最低： 1
倍数： 1

Half Bridge Si M1H Tray