EasyDUAL™ 1B IGBT模块

英飞凌采用CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B IGBT模块具有非常低的杂散电感和出色的效率,因此频率更高、功率密度更高、冷却要求更低。这些1200V、8mΩ的半桥模块集成了NTC温度传感器和PressFIT触点技术。xHP_B11型号提供热界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推荐栅极驱动电压范围、+23V或-10V的最大栅极-源极电压以及17mΩ或33mΩ的漏极-源极导通电阻选项。集成式安装夹确保牢固的安装。

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 技术 系列 封装
Infineon Technologies 分立半导体模块 EASY 48库存量
¥453.9436
¥347.2377
¥333.35
最低: 1
倍数: 1
Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V 35库存量
¥275.1098
¥203.6486
¥203.5695
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 275库存量
¥814.6735
¥619.2174
¥619.127
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 12库存量
¥570.4918
¥498.8611
¥391.4094
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 3库存量
¥744.6135
¥535.0889
¥535.0098
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 4库存量
¥586.6169
¥416.3937
¥416.3146
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 19库存量
¥420.7781
¥284.7939
¥284.7035
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 无库存交货期 33 周
¥384.3808
¥343.4409
¥247.8994
最低: 1
倍数: 1
Half Bridge Si M1H Tray