SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET能够实现更高的开关频率,减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2,442库存量
剪切带
¥49.0533
¥27.7076
¥23.9899
¥19.9332
卷轴
¥18.193
¥15.142
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial 1,603库存量
900预期 2026/12/7
¥50.3754
¥30.3518
¥23.8995
¥20.1027
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial 281库存量
¥46.556
¥23.6283
¥21.4474
¥18.1478
¥17.289
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-3PF-3 1 Channel 1700 V 4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 4库存量
450预期 2026/11/23
¥117.294
¥65.6756
¥65.5965
¥62.8619
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60 mO, 650V, TO-247-4, Industrial 39库存量
900预期 2026/12/11
¥79.4955
¥42.8496
¥39.4596
¥37.968
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
2,700预期 2026/11/20
¥159.2283
¥93.3041
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
860在途量
¥333.1692
¥207.0612
¥205.0611
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 222 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
600预期 2026/10/15
¥117.294
¥65.6756
¥62.8619
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M