NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

制造商：

说明：
电流隔离式栅极驱动器 ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NCV57001FDWR2G详情

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 电流隔离式栅极驱动器
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Inverting, Non-Inverting
激励器数量: 1 Driver
输出端数量: 1 Output
输出电流: 4 A
产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
产品类型: Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大: 5 V
电源电压-最小: 3.3 V
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

NCV57001F IGBT栅极驱动器

安森美 (onsemi) NCV57001F IGBT栅极驱动器是一款大电流单通道IGBT驱动器，具有内部电流隔离功能，设计用于提高系统效率和可靠性。此栅极驱动器具有互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护和DESAT软关断等特性。安森美 (onsemi) NCV57001F IGBT栅极驱动器可在输入侧提供5V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。此栅极驱动器具有>5kVrms（符合UL1577标准）电流隔离和1200Viorm（工作电压）功能。典型应用包括汽车电源、混合动力/电动汽车 (HEV/EV) 动力传动系统、BSG逆变器和正温度系数 (PTC) 加热器。

库存量: 1,149

库存：
1,149 可立即发货
生产周期：
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1149的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥40.6461 ¥40.65
¥29.7981 ¥297.98
¥28.1483 ¥703.71
¥23.8882 ¥2,388.82
¥23.3684 ¥5,842.10
¥22.2384 ¥11,119.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥20.8485 ¥20,848.50

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。