汽车级XPHx06NC硅N沟道MOSFET

Toshiba XPHx06NC硅N沟道MOSFET是 采用小巧轻薄封装的60V单N沟道MOSFET。该系列MOSFET的储存温度范围为-55°C至175°C,工作温度范围为175°C。XPHx06NC硅N沟道MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令。典型应用包括汽车、电机驱动器、开关稳压器和直流-直流转换器。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET 7,568库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 2.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 132 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET
11,161预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 1.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel