NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET

onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET性能卓越，在V_GS = 20V时，典型R_DS(on) 为53mΩ。onsemi NVH4L050N170M1 MOSFET针对20V栅极驱动进行了优化。这些器件还能通过18V栅极驱动有效运行，具有负栅极电压驱动和减少关断尖峰的特点。这些器件具有超低栅极总电荷（105nC）、高速开关和低电容（C_oss = 98pF）的特性，并100%经雪崩测试实现可靠性。