CSD88599Q5DC 60V半桥NexFET电源块

Texas Instruments CSD88599Q5DC 60V半桥NexFET电源块是一款经过优化、用于大电流电机控制应用的设计。这些应用包括手持无线园艺和电动工具等。CSD88599Q5DC采用TI获得专利的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时提供完整的半桥。该器件采用节省空间的热增强型DualCool™ 5mm × 6mm封装。利用暴露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从PCB带走, 从而在许多电机控制应用要求的较高电流下实现出色的热性能。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DCT
9,952在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-22 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 43 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DC
1,750预期 2026/3/19
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-22 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 43 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel