SiC E1B模块

安森美  SiC E1B模块 具有独特的共源共栅电路,设有常开SiC JFET与Si MOSFET封装,因此是常关的SiC FET。SiC E1B系列提供类似硅的栅极驱动器,支持单极栅极驱动器,兼容Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET和Si超级结器件。这些安森美器件采用E1B模块封装,具有超低栅极电荷和出色的开关特性,因此非常适合用于硬开关和零电压开关软开关应用。该模块采用先进的银烧结芯片连接技术,可实现出色的功率循环和热性能。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 类型 技术 Vf - 正向电压 Vr - 反向电压 Vgs - 栅极-源极电压 安装风格 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 分立半导体模块 1200V/100ASICHALF-BRIDG 97库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Modules Half Bridge SiC 1.4 V - 20 V, + 20 V Screw Mount E1B - 55 C + 150 C UHBxxxSC Tray
onsemi 分立半导体模块 1200V/15ASICFULL-BRIDGE 24库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Modules Full Bridge SiC 1.4 V - 20 V, + 20 V Screw Mount E1B - 55 C + 150 C UFBxxSC Tray
onsemi 分立半导体模块 1200V/25ASICFULL-BRIDGE 86库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Modules Full Bridge SiC 1.4 V - 20 V, + 20 V Screw Mount E1B - 55 C + 150 C UFBxxSC Tray
onsemi 分立半导体模块 1200V/50ASICHALF-BRIDGE 13库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Modules Half Bridge SiC 1.2 V 800 V - 20 V, + 20 V Press Fit E1B - 55 C + 150 C UHBxxxSC Tray