NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 8.93 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFS007P02P8

制造商编号：

NTTFS007P02P8

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTTFS007P02P8 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	56 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	44 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	68 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	33 ns
系列:	NTTFS007P02P8
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	119 ns
典型接通延迟时间:	19 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTTFS007P02P8 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 泰国
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET采用高性能PowerTrench技术打造，具备极低R_DS(on)、快速开关性能及耐用性。这款P沟道MOSFET采用流行的表面贴装封装，具有高功率和大电流处理能力。NTTFS007P02P8 MOSFET具有以下特性：漏源电压为-20V，栅源电压为±8V，结到壳热阻为3.8°C/W，栅极电阻为4.5Ω。这款P沟道MOSFET不含铅和卤化物，符合RoHS标准。典型应用包括负载开关、电池管理、电源管理和反极性保护。