TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7 S7提供丰富的1200V产品组合，适用于所有需要短路能力/高度可靠的工业应用。IGBT7 S7是一款高效、耐受短路的分立式IGBT，饱和电压至少比其他器件低 10%。

结果: 19
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,112库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
531库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
305库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,570库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
999库存量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
715库存量
285在途量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
990库存量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
176库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
489库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
1,708库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
465库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
120库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
数据表
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
3,119在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube