TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

英飞凌科技TRENCHSTOP™ IGBT7 S7为需要耐受短路/坚固性的所有工业应用提供广泛的1200V产品组合。IGBT7 S7是一款高效、耐受短路的分立式IGBT，饱和电压至少比其他器件低 10%。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
1,865库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,594库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
348库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
数据表
313库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
1,125库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
650库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
数据表
436库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
2,550库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
354库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
453库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
380库存量
240预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube