NVMJST1D3N04CTXG

onsemi
863-NVMJST1D3N04CTXG
NVMJST1D3N04CTXG

制造商：

说明：
MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NVMJST1D3N04CTXG详情

库存量: 2,415

库存：
2,415 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.4192 ¥22.42
¥15.3002 ¥153.00
¥12.9837 ¥1,298.37
¥12.4865 ¥6,243.25
¥12.2379 ¥12,237.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥12.2379 ¥36,713.70

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TCPAK-10
N-Channel
1 Channel
40 V
386 A
1.39 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 145 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 47 ns
系列: NVMJST1D3N04C
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMJST1D3N04C功率N沟道MOSFET

安森美NVMJST1D3N04C功率N沟道MOSFET采用TCPAK5x7封装，实现紧凑、高效的设计和较高的散热性能。NVMJST1D3N04C符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美NVMJST1D3N04C MOSFET非常适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。