NVBLS1D7N10MCTXG

onsemi
863-NVBLS1D7N10MCTXG
NVBLS1D7N10MCTXG

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

数据表:
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库存量: 1,737

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥63.1896 ¥63.19
¥42.7592 ¥427.59
¥31.188 ¥3,118.80
¥29.8659 ¥14,932.95
¥28.2048 ¥28,204.80
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥28.2048 ¥56,409.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
265 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
303 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 220 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 38 ns
系列: NVBLS1D7N10MC
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVBLS1D7N10MCTXG N沟道PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N沟道PowerTrench® MOSFET具有高散热性能和低RDS(on)，可最大限度地降低传导损耗。NVBLS1D7N10MCTXG符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

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