ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

结果: 80
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
数据表
94库存量
2,400预期 2026/9/28
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
数据表
1,085库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-220
数据表
1,950预期 2026/3/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
数据表
33,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 100 V 6.3 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube