Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

结果: 11
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CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3,714库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11,531库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,803库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,597库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6,934库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 812库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 199库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1,907库存量
15,000预期 2026/4/28
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 无库存
最低: 15,000
倍数: 15,000
卷轴: 15,000