HMC219B GaAs MMIC基本混频器

Analog Devices HMC219B GaAs MMIC基本混频器是通用、双平衡混频器,采用超小8引脚MINI_SO_EP封装(有裸焊盘)。由于采用优化的巴伦结构,所以HMC219B混频器具有出色的LO至RF和LO至IF隔离。HMC219B提供典型的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 隔离(40dB时),LO至中频 (IF)(35dB时)和射频至IF隔离(22dB时)。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 射频 转换损失——最大 NF—噪声系数 LO频率 中频 最大工作温度 最小工作温度 安装风格 封装 / 箱体
Analog Devices 射频混频器 Mixer

2.5 GHz to 7 GHz 11 dB 8 dB 2.5 GHz to 7 GHz 0 Hz to 3 GHz + 85 C - 40 C SMD/SMT Mini SO-8 EP

Analog Devices 射频混频器 Mixer

2.5 GHz to 7 GHz 11 dB 8 dB 2.5 GHz to 7 GHz 0 Hz to 3 GHz + 85 C - 40 C SMD/SMT SOIC-8