RBRxx30ATL低VF型肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL肖特基势垒二极管是共阴极双型低正向电压 (VF) 二极管，具有30V反向直流电压 (VR)。j这些二极管采用硅外延平面型结构制造，采用TO-263S (D2PAK) 或TO-252 (DPAK) 封装。ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ势垒二极管具有低正向电压 (VF) 和高可靠性，工作温度范围为-55°C至+150°C。这些肖特基势垒二极管非常适合用于开关电源和一般整流。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 产品
安装风格
封装 / 箱体
配置
技术
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
数据表
945库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 10A, TO-263S (D2PAK)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 30 V 550 mV 50 A 100 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, TO-263S (D2PAK)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Reel
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, TO-263S (D2PAK)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Reel