GANE3R9-150QBAZ

Name: Nexperia GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE3R9-150QBAZ
Price: 70.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GANE3R9-150QBAZ

制造商编号：

GANE3R9-150QBAZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

数据表:

GANE3R9-150QBAZ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	20 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	65 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
零件号别名:	934667633332

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET

Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常闭电子模式器件，具有出色的性能和非常低的导通电阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平无引线封装 (VQFN)。

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

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剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥79.5746	¥79.57
	¥54.5112	¥545.11
	¥40.5331	¥4,053.31
	¥37.1431	¥37,143.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥36.6459	¥91,614.75
5,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

GANE3R9-150QBAZ

制造商： Nexperia

说明： GaN 场效应晶体管 GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

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