BSD碳化硅肖特基势垒二极管

Bourns BSD碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 设计用于要求更高峰值正向浪涌能力、低正向压降、低热阻和低功率损耗的高频和大电流应用。这些先进的宽带隙元器件有助于提高DC-DC和AC-DC转换器、开关模式电源、光伏逆变器、电机驱动器和其他整流应用的可靠性、开关性能和效率。Bourns BSD SiC SBD的工作电压为650V至1200V，电流范围为5A至10A。同时，这些高效器件没有反向恢复电流，可降低EMI，因此SiC SBD能够显著降低能量损耗。