NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 29.5 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTMFWS1D5N08XT1G

制造商编号：

NTMFWS1D5N08XT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

数据表:

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

ECAD模型:

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预期 2027/5/5

4,500

3,000

预期 2027/5/10

1,500

预期 2027/9/29
生产周期：: 27

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¥-.--

总价:

¥-.--

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥33.335	¥33.34
	¥21.8316	¥218.32
	¥15.7183	¥1,571.83
	¥13.4018	¥6,700.90
	¥11.8311	¥11,831.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥11.8311	¥17,746.65

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO8FL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	253 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	194 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	MY
扩散国家:	JP
原产国:	JP
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	176 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	NTMFWS1D5N08X
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	43 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET采用低Q_RR和软恢复体二极管，从而可降低开关损耗。NTMFWS1D5N08X器件的R_DS(on) 低，可将导通损耗降至最低，确保高效运行。此外，其低Q_G和电容有助于将驱动器损耗降至最低。安森美 (onsemi) NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET无铅，无卤素，无BFR，以及符合RoHS标准。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

云电源管理解决方案

安森美 (onsemi) 云电源管理解决方案为基础设施提供必不可少的计算和连接功能，对于处理器、存储库和无线基站的供电至关重要。随着业务向云端转移，效率和可靠性的重要性日益凸显。AI服务器尤其需要可靠的电源来确保最佳性能和效率，因此对于AI驱动的业务来说，要维护其完整性和功能性，安森美解决方案不可或缺。安森美提供AC-DC转换、多相转换、负载点电源和热插拔保护等阵容丰富的解决方案，能满足云端基础设施的各类电源需求。凭借尖端的技术、可靠的性能和深厚的专业应用知识，无论是对于当前的基站、服务器还是数据中心，安森美都是理想的供电合作伙伴。