NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 26.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFWS1D5N08XT1G

制造商编号：

NTMFWS1D5N08XT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

数据表:

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

ECAD模型:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥30.3518	¥30.35
	¥19.8541	¥198.54
	¥14.9725	¥1,497.25
	¥12.9837	¥6,491.85
	¥11.1644	¥11,164.40
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥9.9214	¥14,882.10
	¥9.7632	¥29,289.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO8FL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	253 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	194 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	176 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	NTMFWS1D5N08X
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	43 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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数据表

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

NTMFWS1D5N08X单N通道MOSFET

安森美NTMFWS1D5N08X单N通道MOSFET 具有低Q_RR 软恢复体二极管，降低了开关损耗。NTMFWS1D5N08X器件具有低R_DS(on)，以最大限度地降低导通损耗，保证高效运行。此外，其低Q_G 、低电容有助于最大限度地降低驱动器损耗。安森美NTMFWS1D5N08X单N通道MOSFET无铅、无卤、无BFR，符合RoHS指令。