BUK9Mx和BUK9Yx车用ASFET(面向安全气囊)

Nexperia BUK9Mx和BUK9Yx车用ASFET(面向安全气囊应用)与标准DPAK封装相比,可节省空间(LFPAK56为53%,LFPAK33为84%)。ASFET符合AEC-Q101标准,在部署安全气囊条件下能够可靠运行。这些应用专用MOSFET (ASFET) 可满足安全气囊应用的特殊需求,专注于增强安全工作区 (SOA) 性能,改进线性模式。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 60V 110A 7,159库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 5.6 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 60V 40A 1,733库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 40 nC - 55 C + 175 C 79.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 60V 35A 23库存量
1,500预期 2026/6/1
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 21 mOhms - 10 V, 10 V 2.05 V 12.8 nC - 55 C + 175 C 70.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 60V 20A 2,125库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 44 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 60V 90A 1,297库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 7.9 mOhms 58 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 60V 125A 1,219库存量
1,500预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 125 A 4.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 109 nC - 55 C + 175 C 238.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 60V 50A
1,420预期 2026/6/1
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape