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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 21,428库存量
15,000预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8 4,631库存量
5,000预期 2026/4/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1,671库存量
2,000预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 185 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,262库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 330 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V 400库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
2,990预期 2026/3/12
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
10,000预期 2026/4/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube