结果: 36
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
5,000预期 2026/10/1
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
10,000预期 2026/7/3
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
4,770预期 2026/10/29
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
3,550预期 2026/10/1
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
9,970预期 2026/7/23
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
4,990预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表
2,991预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 276 A 1.3 mOhms 20 V 3.3 V 90 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube