NTBL012N065M3S

Name: onsemi NTBL012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL012N065M3S
Price: 92.45 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTBL012N065M3S

制造商编号：

NTBL012N065M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET EliteSiC, 12 mohm, 650V, M3S, TOLL

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NTBL012N065M3S 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H-PSOF-8L
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	142 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	143 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	576 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	38 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	20 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	EliteSiC
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2026-6-29 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET具有650V漏-源额定电压，漏极电流可达142A左右（25°C时）。该MOSFET的主要特性包括：12mΩ的极低导通电阻（V_GS = 18V时）、低电容高速开关（C_oss = 268pF），以及超低栅极电荷（Q_G(tot) = 143nC）。NTBL012N065M3S MOSFET已100%通过雪崩测试，可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作。这款MOSFET提供有表面贴装H-PSOF8L封装。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能和EV充电基础设施。