onsemi NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET
安森美 (onsemi) NTBL012N065M3S EliteSiC MOSFET具有650V漏-源额定电压，漏极电流可达142A左右（25°C时）。该MOSFET的主要特性包括：12mΩ的极低导通电阻（VGS = 18V时）、低电容高速开关（Coss = 268pF），以及超低栅极电荷（QG(tot) = 143nC）。NTBL012N065M3S MOSFET已100%通过雪崩测试，可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作。这款MOSFET提供有表面贴装H-PSOF8L封装。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能和EV充电基础设施。
特性
- 典型RDS(ON)：12mΩ（VGS = 18V时）
- 超低栅极电荷（QG(tot)）：143nC
- 低电容高速开关（Coss = 268pF）
- 100% 经雪崩测试
- 不含卤素
- 符合RoHS指令（7a豁免）
- 2LI（第二层互连上）无铅
应用
- 开关模式电源(SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 储能
- EV充电基础设施
规范
- 650V漏-源电压额定值
- 漏极连续电流：
- 25°C时142A
- 100°C时101A
- 单脉冲雪崩能量：199mJ（ILPK = 63A、L = 0.1mH、IAS = 63A、VDD = 100V、VGS = 18V）
- 耗散功率:
- 25°C时为576W
- 288W（100 °C时）
- -55°C至+175°C工作温度范围
尺寸图
发布日期: 2026-06-02
| 更新日期: 2026-06-30