NXH020U90MNF2PTG

onsemi
863-NXH020U90MNF2PTG
NXH020U90MNF2PTG

制造商：

说明：
MOSFET模块 PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

数据表:
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库存量: 25

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥1,438.7612 ¥1,438.76
¥1,432.8061 ¥14,328.06

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Press Fit
N-Channel
900 V
149 A
14 mOhms
- 8 V, + 18 V
4.3 V
- 40 C
+ 150 C
352 W
NXH020U90MNF2
Tray
商标: onsemi
配置: Dual Common Source
下降时间: 12.8 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 19.8 ns
工厂包装数量: 20
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
类型: SiC MOSFET Module
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 43.2 ns
Vf - 正向电压: 2.3 V
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH020U90MNF2碳化硅 (SiC) 模块

安森美 (onsemi)  NXH020U90MNF2碳化硅 (SiC) 模块是Vienna SiC模块，设有2个10mΩ 900V SiC MOSFET开关。安森美 (onsemi) 器件还设有2个100A 1200V碳化硅二极管和1个热敏电阻器。NXH020U90MNF2采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M2技术，由15V至18V栅极驱动。

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