SIS178LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS178LDN-T1-GE3
SIS178LDN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

数据表:
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库存量: 3,526

库存：
3,526
可立即发货
在途量:
18,000
预期 2027/5/10
18,000
预期 2027/8/23
生产周期：
43
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥12.4865 ¥12.49
¥7.8535 ¥78.54
¥5.2093 ¥520.93
¥4.0793 ¥2,039.65
¥3.7177 ¥3,717.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.6838 ¥11,051.40
¥3.2657 ¥19,594.20
¥3.164 ¥28,476.00
¥3.1075 ¥74,580.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
70 V
45.3 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
18.7 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 40 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: SIS
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 1 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET采用PowerPAK® 1212-8单封装和TrenchFET Gen IV技术。SiS178LDN MOSFET具有非常低的RDS x Qg品质因数 (FOM)。Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET设计用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、电机驱动控制和负载开关应用。

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