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SIS178LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS178LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS178LDN-T1-GE3
Price: 9.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIS178LDN-T1-GE3

制造商编号：

SIS178LDN-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

数据表:

SIS178LDN-T1-GE3 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥10.8367	¥10.84
	¥6.78	¥67.80
	¥4.4861	¥448.61
	¥3.5369	¥1,768.45
	¥3.1866	¥3,186.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.9154	¥8,746.20
	¥2.6442	¥15,865.20
	¥2.5199	¥22,679.10
	¥2.4182	¥58,036.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	70 V
Id-连续漏极电流:	45.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	18.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	39 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	40 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	SIS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	1 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET采用PowerPAK® 1212-8单封装和TrenchFET Gen IV技术。SiS178LDN MOSFET具有非常低的R_DS x Q_g品质因数 (FOM)。Vishay/Siliconix SiS178LDN N沟道70V (D-S) MOSFET设计用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、电机驱动控制和负载开关应用。