EMC优化的NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET采用高效且节省空间的LFPAK56封装。 这些MOSFET耐雪崩。NextPowerS3 MOSFET支持+175°C的最高结温。这些MOSFET符合欧盟RoHS规定。NextPowerS3 MOSFET的峰值焊接温度为+260°C，储存温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括DC-DC转换器和无刷直流电机控制。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
数据表
1,229库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
数据表
2,076库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
数据表
1,899库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
数据表
1,863库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
数据表
1,908库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
数据表
1,342库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
数据表
952库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
数据表
1,945库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement