SP8M功率MOSFET

ROHM Semiconductor SP8M功率MOSFET是低导通电阻器件,采用小型表面贴装封装 (SOP8)。SP8M采用无铅电镀,符合RoHS指令。这些MOSFET也不含卤素,采用Sn100%电镀,符合AEC-Q101标准。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 2,612库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5 A, 3.5 A 51 mOhms, 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 2,085库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 4.5 A 65 mOhms, 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V, 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 4,682库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 45 V 6 A, 4 A 25 mOhms, 46 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 21.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 2,789库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 9 A, 7 A 18 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 1,631库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V 3.4 A, 2.6 A 130 mOhms, 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 1,480库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 3 A, 2.5 A 170 mOhms, 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ
2,332预期 2026/4/21
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5 A, 4.5 A 51 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel