NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块

安森美  NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块包含基于半桥拓扑的8mΩ/1200V、10mΩ/1200V、15mΩ/1200V和30mΩ/1200V M3S SiC MOSFET，以及一个采用F1封装的热敏电阻。这些模块有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项。 NXH0xxP120M3F1模块设计采用压配引脚，无铅、无卤，符合RoHS指令。这些电源模块用于太阳能逆变器、工业电源、电动汽车 (EV) 充电站和不间断电源 (UPS)。

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray
onsemi MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W NXH008P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W Tray
onsemi MOSFET模块 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W NXH010P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 77 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 150 C 198 W NXH015P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 42 A 38.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 100 W NXH030P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-22 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 38 A 38.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 100 W NXH030F120M3F1PTG Tray