NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。安森美半导体MOSFET具有低导通电阻 (R_{DS (on)})，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷 (Q_G)/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMFD6H846NL MOSFET占位面积小，尺寸为5mm x 6mm。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括反向电池保护、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）以及开关电源。