NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块

安森美  NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块是1200V、80mΩ 三相桥式电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。这些碳化硅模块设计紧凑，具有低模块总电阻。NVXK2VR80WxT2电源模块是符合AEC-Q101和AQG324标准的汽车级 器件。此系列电源模块不含铅，符合ROHS和UL94V-0标准。NVXK2VR80WxT2碳化硅模块具有温度传感功能和极低热阻，使其非常适合用于xEV应用中的PFC车载充电器。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 APM32 SIC POWER MODULE
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi MOSFET模块 APM32 SIC POWER MODULE
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube