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DMTH6004LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6004LPS-13
Price: 16.03 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

621-DMTH6004LPS-13

制造商编号：

DMTH6004LPS-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

数据表:

DMTH6004LPS-13 数据表 (PDF)

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥18.1139	¥18.11
	¥12.4865	¥124.87
	¥8.8479	¥884.79
	¥7.0851	¥3,542.55
	¥6.8591	¥6,859.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.4975	¥16,243.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI5060-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	96.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	2.6 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	32.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17.7 ns
系列:	DMTH6004
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	53.5 ns
典型接通延迟时间:	9.9 ns
单位重量:	96 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMTH6004LPS-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFET是N通道增强模式MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性。这些MOSFET还设计用于满足汽车应用的严格要求。Diodes Incorporated DMTx MOSFET非常适合用于高效率电源管理应用。

栅极驱动器

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Power MOSFETs

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DMTH6004 N 通道增强模式 MOSFET

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