PSMN N通道30V MOSFET

Nexperia PSMN N通道30V MOSFET采用NextPowerS3技术和LFPAK封装,具有低RDSon和低IDSS漏电流。由于采用LFPAK封装,因此这些器件具有高可靠性,可在175°C温度下工作。这些MOSFET具有极为出色的安全工作区 (SOA)。这些PSMN MOSFET在25°C时的漏电流低于1μA,针对4.5V栅极驱动进行了优化。这些MOSFET具有-55°C至175°C的结温范围和储存温度范围。这些PSMN MOSFET非常适合用于热插拔、电源OR-ing、电池保护、有刷和无刷直流电机控制,以及交流-直流和直流-直流应用中的同步整流。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 30V 150A 4,535库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 25V 300A 4,128库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1023 N-CH 25V 380A 15库存量
3,000预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 25V 150A 1,488库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 150 A 1.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1023 N-CH 30V 300A
4,500预期 2027/2/8
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 30 V 380 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFET SOT1210 N-CH 30V 160A 无库存交货期 13 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 160 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 30V 300A 无库存交货期 16 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 157 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel