PSMN N通道30V MOSFET

Nexperia PSMN N通道30V MOSFET采用NextPowerS3技术和LFPAK封装，具有低RDSon和低IDSS漏电流。由于采用LFPAK封装，因此这些器件具有高可靠性，可在175°C温度下工作。这些MOSFET具有极为出色的安全工作区 (SOA)。这些PSMN MOSFET在25°C时的漏电流低于1μA，针对4.5V栅极驱动进行了优化。这些MOSFET具有-55°C至175°C的结温范围和储存温度范围。这些PSMN MOSFET非常适合用于热插拔、电源OR-ing、电池保护、有刷和无刷直流电机控制，以及交流-直流和直流-直流应用中的同步整流。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
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Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 150 A 1.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel