PSMN N通道30V MOSFET

Nexperia PSMN N通道30V MOSFET采用NextPowerS3技术和LFPAK封装，具有低R_DSon和低I_DSS漏电流。由于采用LFPAK封装，因此这些器件具有高可靠性，可在175°C温度下工作。这些MOSFET具有极为出色的安全工作区 (SOA)。这些PSMN MOSFET在25°C时的漏电流低于1μA，针对4.5V栅极驱动进行了优化。这些MOSFET具有-55°C至175°C的结温范围和储存温度范围。这些PSMN MOSFET非常适合用于热插拔、电源OR-ing、电池保护、有刷和无刷直流电机控制，以及交流-直流和直流-直流应用中的同步整流。