S29GL128S10TFIV20

Infineon Technologies
797-29GL128S10TFIV20
S29GL128S10TFIV20

制造商:

说明:
NOR闪存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR闪存

ECAD模型:
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库存量: 585

库存:
585 可立即发货
生产周期:
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥65.2575 ¥65.26
¥60.7149 ¥607.15
¥58.8956 ¥1,472.39
¥57.4831 ¥2,874.16
¥56.161 ¥5,616.10
¥54.3417 ¥13,585.43
¥52.9405 ¥26,470.25
¥51.6184 ¥46,972.74
2,730 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: NOR闪存
RoHS:  
SMD/SMT
TSOP-56
S29GL128S
128 Mbit
2.7 V
3.6 V
60 mA
Parallel
8 M x 16
16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 85 C
Tray
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
速度: 100 ns
工厂包装数量: 910
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MirrorBit
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542326100
MXHTS:
8471600499
ECCN:
3A991.b.1.a
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

S29GL128P NOR闪存

Cypress S29GL128P NOR闪存器件是采用90nm工艺技术制造的单3V读写MirrorBit®闪存产品。 这些器件具有25ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间快达90ns。 特性包括可在一次操作中最多编程32字/64字节的写入缓冲器。 这些器件非常适合用于需要高密度、更好性能和低功耗的嵌入式应用。