40V功率MOSFET

安森美(onsemi)40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术,具有同类最佳的导通电阻。  安森美(onsemi)MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷,可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外,这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制,有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

结果: 14
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1,955库存量
1,500预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1,910库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 4,016库存量
1,500预期 2026/4/3
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1,485库存量
1,500预期 2026/11/13
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 278 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2,540库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 6,718库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5,932库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 6,614库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 5,697库存量
3,000预期 2026/4/3
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 280库存量
10,500在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1,126库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 349 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 96 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 90库存量
3,000预期 2026/4/24
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
2,997预期 2026/2/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape