NTMFD0D9N02P1E

Name: onsemi NTMFD0D9N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD0D9N02P1E
Price: 29.57 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFD0D9N02P1E

制造商编号：

NTMFD0D9N02P1E

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V, 30 V
Id-连续漏极电流:	77 A, 180 A
Rds On-漏源导通电阻:	720 uOhms, 3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	19 nC, 67 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	29.2 W, 37.4 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	3 ns, 10 ns
正向跨导 - 最小值:	147 S, 311 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns, 4 ns
系列:	NTMFD0D9N02P1E
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25 ns, 70 ns
典型接通延迟时间:	8 ns, 15 ns

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已选择的属性: 0

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFD0D9N02P1E MOSFET是一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。该MOSFET由一个非对称的POWERTRENCH^®电源夹组成。NTMFD0D9N02P1E MOSFET具有低RDS_(on)，可将导通损耗降至最低；同时具有低QG和低电容，可将驱动损耗降至最低。这款MOSFET占位面积仅为5mmx6mm，适用于紧凑型设计。NTMFD0D9N02P1E MOSFET不含铅、卤素/BFR，符合RoHS标准。典型应用包括直流-直流变换器、系统电压轨和通用负载点。

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数量	单价	总价
	¥33.4141	¥33.41
	¥22.0011	¥220.01
	¥15.4697	¥1,546.97
	¥14.0572	¥7,028.60
	¥13.9781	¥13,978.10
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	¥12.9837	¥77,902.20

NTMFD0D9N02P1E

制造商： onsemi

说明： MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

特色产品 ONSEMI

库存量: 1,376

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onsemi

说明：

MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

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