NTMFD0D9N02P1E

onsemi
863-NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E

制造商：

说明：
MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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库存量: 2,400

库存：
2,400 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.4141 ¥33.41
¥22.0011 ¥220.01
¥15.4697 ¥1,546.97
¥14.0572 ¥7,028.60
¥13.9781 ¥13,978.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥13.4018 ¥40,205.40
¥12.9837 ¥77,902.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
2 Channel
25 V, 30 V
77 A, 180 A
720 uOhms, 3 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V
19 nC, 67 nC
- 55 C
+ 150 C
29.2 W, 37.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 3 ns, 10 ns
正向跨导 - 最小值: 147 S, 311 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2 ns, 4 ns
系列: NTMFD0D9N02P1E
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns, 70 ns
典型接通延迟时间: 8 ns, 15 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFD0D9N02P1E MOSFET是一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。该MOSFET由一个非对称的POWERTRENCH®电源夹组成。NTMFD0D9N02P1E MOSFET具有低RDS(on)，可将导通损耗降至最低；同时具有低QG和低电容，可将驱动损耗降至最低。这款MOSFET占位面积仅为5mmx6mm，适用于紧凑型设计。NTMFD0D9N02P1E MOSFET不含铅、卤素/BFR，符合RoHS标准。典型应用包括直流-直流变换器、系统电压轨和通用负载点。

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