RAA226110低侧驱动器

Renesas Electronics RAA226110低侧驱动器设计用于驱动采用隔离和非隔离拓扑的增强模式氮化镓 (GaN) FET。RAA226110的工作电源电压范围为6.5V至18V。它具有反相 (INB) 和同相 (IN) 输入，以满足单器件反相和同相栅极驱动器的要求。

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