IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级MOSFET
IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET具有低漏极-源极电阻（38mΩ或52mΩ）和低栅极电荷，采用耐雪崩国际标准封装。IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET还具有低封装电感和650V漏极-源极击穿电压。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器等等。
IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET具有低漏极-源极电阻（38mΩ或52mΩ）和低栅极电荷，采用耐雪崩国际标准封装。IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET还具有低封装电感和650V漏极-源极击穿电压。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器等等。