NxHL080N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET

安森美半导体NxHL080N120SC1 N通道碳化硅MOSFET是1200V、80mΩ MOSFET,具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻,采用紧凑的芯片尺寸,可确保低电容和低栅极电荷。NxHL080N120SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、高速开关、高功率密度、低EMI以及较小的系统尺寸等特性。这些MOSFET采用TO247-3L/TO247-3LD封装。NVHL080N120SC1和NVHL080N120SC1A MOSFET符合汽车级AEC-Q101认证标准。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1工厂有库存
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC