LMG3612REQR

Texas Instruments
595-LMG3612REQR
LMG3612REQR

制造商：

说明：
栅极驱动器 SINGLE-CHANNEL 650-V 120-MOHM GAN FET

数据表:
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库存量: 1,870

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥79.0322 ¥79.03
¥54.1044 ¥541.04
¥43.2451 ¥4,324.51
¥41.9569 ¥41,956.90
¥35.2673 ¥70,534.60

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
Power Switch ICs
Driver
SMD/SMT
VQFN-38
1 Output
23.34 A
10 V
26 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3612
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3612单通道GaN FET

Texas Instruments  LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻，以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器和保护功能  集成在8mm x 5.3mm QFN封装中。LMG3612 GaN FET具有低输出电容电荷，可减少电源转换器开关所需的时间和能量。该晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压以获得最优GaN FET导通电阻。内部栅极驱动器可降低总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持转换器轻负载效率要求和突发模式操作，具有55µA低静态电流和快速启动时间。

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