LMG3612REQR

Texas Instruments
595-LMG3612REQR
LMG3612REQR

制造商：

说明：
栅极驱动器 SINGLE-CHANNEL 650-V 120-MOHM GAN FET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Texas Instruments LMG3612REQR详情

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
Power Switch ICs
Driver
SMD/SMT
VQFN-38
1 Output
23.34 A
10 V
26 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3612
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

LMG3612单通道GaN FET

Texas Instruments  LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻，以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器和保护功能  集成在8mm x 5.3mm QFN封装中。LMG3612 GaN FET具有低输出电容电荷，可减少电源转换器开关所需的时间和能量。该晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压以获得最优GaN FET导通电阻。内部栅极驱动器可降低总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持转换器轻负载效率要求和突发模式操作，具有55µA低静态电流和快速启动时间。

库存量: 1,870

库存：
1,870 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥67.8339 ¥67.83
¥52.4546 ¥524.55
¥48.6352 ¥1,215.88
¥44.3864 ¥4,438.64
¥41.7761 ¥10,444.03
¥41.1772 ¥20,588.60
¥40.0472 ¥40,047.20
¥35.2673 ¥70,534.60

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。