VS-GT50YF120NT IGBT四单元模块

Vishay VS-GT50YF120NT IGBT四单元模块是沟槽式栅极场终止型IGBT，具有方形RBSOA。该模块具有HEXFRED®低Qrr、低开关能量和正VCE(on) 温度系数。这些器件还采用铜基板和低杂散电感设计，设计和批准用于工业市场。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装


Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECONO-4PACK IGBT MODULE
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.34 V - 20 V, 20 V 64 A 231 W - 40 C + 150 C Bulk
Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECONO - 4 PACK IGBT MODULE
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 118 A 431 W - 40 C + 150 C Bulk
Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECONO - 4 PACK IGBT MODULE
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 118 A 431 W - 40 C + 150 C Bulk