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1EDB7275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB7275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB7275FXUMA1
Price: 13.1 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

726-1EDB7275FXUMA1

制造商编号：

1EDB7275FXUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 ISOLATED DRIVER

数据表:

1EDB7275FXUMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 6,772

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在途量:: 5,000

预期 2026/7/2
生产周期：: 39

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.803	¥14.80
	¥10.8367	¥108.37
	¥9.8423	¥246.06
	¥8.7688	¥876.88
	¥8.1925	¥2,048.13
	¥6.5653	¥3,282.65
	¥6.1246	¥6,124.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.9099	¥14,774.75
	¥5.8308	¥43,731.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Isolated Gate Drivers
安装风格:	SMD/SMT
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	9.8 A
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	15 V
上升时间:	8.3 ns
下降时间:	5 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	1EDB7275F SP005351350

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已选择的属性: 0

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数据表

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

EiceDRIVER隔离式与非隔离式栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™隔离式与非隔离式栅极驱动器IC为MOSFET、IGBT和IGBT模块提供经过优化的高低电压栅极驱动器解决方案。这些隔离式与非隔离式栅极驱动器IC是专为打造可靠且高效的应用所设计。经过优化的栅极驱动器配置，对于无论是独立形式还是电源模块形式的所有电源开关而言，都是必不可少的。Infineon栅极驱动器提供介于0.1A到最高10A的多样化典型输出电流选项，适合电源装置的所有尺寸。

CoolGaN™氮化镓HEMT

Infineon CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术，设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。