STP50N60DM6

STMicroelectronics
511-STP50N60DM6
STP50N60DM6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STP50N60DM6详情

库存量: 209

库存：
209 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥51.2003 ¥51.20
¥29.1201 ¥291.20
¥26.7132 ¥2,671.32
¥24.6453 ¥12,322.65

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6功率MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6功率MOSFET是一款高电压N沟道功率MOSFET，具有极高的dv/dt耐受性。该功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，具有齐纳保护功能，100%经过雪崩测试。STP50N60DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低电阻以及更低的单位面积RDS(on)（与上一代产品相比）。该MOSFET具有极低恢复电荷 (Qrr)、超短恢复时间 (trr) 和出色的单位面积 RDS(on)以及最有效的开关特性之一。STP50N60DM6 MDmesh DM6功率MOSFET非常适合用于开关应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。