MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET

Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET(SOT8002-3D)使用沟槽9技术。该器件符合AEC-Q101标准,在175°C下工作,占位面积小,适用于紧凑型设计。Nexperia BUK7Q的侧部可湿润,可提供牢固的焊料接头和自动光学检测。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33 600库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q6R0-40H/SOT8002/MLPAK33 600库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33 600库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 57 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape