NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 2.12 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NSVMSD1819A-RT1G

制造商编号：

NSVMSD1819A-RT1G

制造商：

onsemi

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR NPN 50V

数据表:

NSVMSD1819A-RT1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-3
晶体管极性:	NPN
配置:	Single
最大直流电集电极电流:	200 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO:	60 V
集电极—基极电压 VCBO:	60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	7 V
集电极—射极饱和电压:	500 mV
Pd-功率耗散:	150 mW
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	MSD1819A-R
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
集电极连续电流:	100 mA
直流电流增益 hFE 最大值:	340
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

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Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MSD1819A-R通用和低VCE晶体管

onsemi MSD1819A-R通用和低V_CE 晶体管设计用于放大器应用。该NPN晶体管具有210至460的大电流增益（h_FE）和低V_CE < 0.5V。NPN晶体管采用SC-70/SOT-323封装，设计用于低功耗表面贴装应用。硅外延平面晶体管符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这款低V_CE 晶体管不含铅、卤素/BFR。典型应用包括电池反向保护、直流-直流转换器输出驱动器和高速开关。