R8019KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8019KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNXC7G
Price: 58.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R8019KNXC7G

制造商编号：

R8019KNXC7G

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching.

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FM-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	19 A
Rds On-漏源导通电阻:	265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	65 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	60 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	50 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	35 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N沟道800V 19A功率MOSFET是具有快速开关功能的低导通电阻器件。此功率MOSFET具有0.265Ω R_DS(on)（最大值）、83W耗散功率以及-55°C至150°C的工作温度范围。R8019KNXC7G Nch 800V 19A采用无铅电镀，符合RoHS指令。该功率MOSFET采用并联方式，使用方便，非常适合开关应用。