LM74912QRGERQ1

Texas Instruments
595-LM74912QRGERQ1
LM74912QRGERQ1

制造商：

说明：
专业电源管理 (PMIC) Automotive ideal dio de with integrated

数据表:
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12
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥31.2671 ¥31.27
¥23.6622 ¥236.62
¥21.7525 ¥543.81
¥19.6055 ¥1,960.55
¥18.6111 ¥4,652.78
¥18.0348 ¥9,017.40
¥17.5376 ¥17,537.60
¥16.7918 ¥50,375.40

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 专业电源管理 (PMIC)
RoHS:  
LM74912
Controller
SMD/SMT
VQFN-24
2.37 A
65 V
3 V
- 40 C
+ 125 C
615 uA
应用: Active ORing for Redundant Power, Automotive Battery Protection - ADAS Domain Controller, Automotive External Amplifier, Infotainment and Cluster
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品: Ideal Diode Controllers
产品类型: Power Management Specialized - PMIC
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

LM74912-Q1理想二极管控制器

Texas Instrument LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFET。实现此功能是为了模拟具有电源路径开/关控制的理想二极管整流器，并具有过压、欠压和输出短路保护。3V至65V宽输入电源支持保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。该器件可以保护负载并承受低至-65V负电源电压。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个MOSFET以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中设有第二个MOSFET，在过流和过压事件时，可通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供基于外部MOSFET VDS检测的短路保护以及可调电流限制。当输出端检测到短路情况时，器件会锁断负载断开MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，并在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。Texas Instruments LM74912-Q1最大额定电压为65V。

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